工作流1.0
【方向】：现代科技感 【画面文案】高 2米X0.8米 标题：Si 基 AlGaN/GaN肖特基势垒二极管 副标题：n-GaN/p-NiO/n-GaN 横向多结终端结构 正文：1.60 kV 击穿电压 BV 1.74 mΩ·cm² 比导通电阻 Rₒₙ,sp 1.47 GW/cm² Baliga 功率优值 核心设计 通过 n-GaN/p-NiO/n-GaN 横向多结扩展漂移区耗尽范围、缓解场板边缘电场集中，同时避免 2DEG 过度耗尽，实现高击穿电压与低导通电阻的兼顾。 器件结构 器件实物 器件与测试板 器件结构 参考器件与 n-GaN/p-NiO/n-GaN 多结器件结构 微观结构 SEM/TEM 表征p-NiO、n-GaN与AlGaN/GaN结构 性能汇总 关键结果 • BV 由约 1.0 kV 提升至约 1.6 kV • Rₒₙ,sp ≈ 1.74 mΩ·cm² • BFOM ≈ 1.47 GW/cm² • −500 V / 100 s 应力后动态 Rₒₙ,sp 增幅约 27% • 多结结构扩展耗尽区并抑制表面电子俘获 [1] J. He et al., Physical Model Development for MIS-Anode-Based 1100 V AlGaN/GaN SBDs on Si, Adv. Electron. Mater. 11, 2500111 (2025). [2] F. Huang et al., 1.06-kV Polarization Gate-Assisted Si-Based AlGaN/GaN SBD, IEEE Trans. Electron Devices 72, 6918 (2025). [3] J. He et al., 1.4 kV AlGaN/GaN SBD with Fan-Shaped AlGaN Polarization Superjunction, Appl. Phys. Lett. 129, 043505 (2026). [4] J. He et al., 1.6 kV AlGaN/GaN
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